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利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像, 找寻在实际分析中困扰设计人
员的漏电区域（超过10mA之故障点）。LC可侦测因ESD,EOS应力破坏导致芯片失效的具体位置。
（请参阅EMMI,OBIRCH 相关内容）
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LC / EMMI / OBIRCH 对比 |
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灵敏度 |
背面观察 |
现象 |
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LC |
毫安级别 |
No |
No Hot Spots |
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EMMI |
微安级别 |
No |
Light Emission |
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OBIRCH |
微安级别 |
Yes |
Thermo-electric Property |
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